Le Carbure de Silicium, par ses propriétés intrinsèques, offre des perspectives dans le domaine de l'électronique de puissance à même de supplanter le Silicium aujourd'hui sollicité à ses limites. En particulier, le Carbure de Silicium (SiC) permet la réalisation de diodes réunissant la technologie Schottky et supportant une haute tension.

Une simulation inédite des radiations spatiales en Corée. Pour la première fois en Corée, des chercheurs du Korea Electrotechnology Research Institute (KERI), dirigés par le Dr Jae Hwa Seo, ont mis au point une méthodologie innovante permettant de tester la résistance des semi-conducteurs en carbure de silicium face aux radiations cosmiques.

2 -Permittivité diélectrique SiC du carbure de Silicium en fonction de la fréquence optique ω. La partie réelle Re SiC est maximale en a, nulle en b, égale à -1 en c, nulle en d.

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Cette thèse étudie la conception, la fabrication et la caractérisation de micro-disques de carbure de silicium sur substrat de silicium conçus pour opérer du proche au moyen infrarouge. Nous étudions une approche simple mais efficace permettant de supprimer les modes de galerie d'ordre supérieur tout en préservant le facteur de qualité du mode fondamental.

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Contribution à l'étude de la fiabilité des MOSFETs en carbure de silicium Thomas Santini To cite this version: Thomas Santini. Contribution à l'étude de la fiabilité des MOSFETs en carbure de silicium. Elec-tronique. Université de Lyon, 2016. Français. ￿NNT: …

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Les caractérisations en commutation du MOSFET en carbure de silicium ont été mesurées sous des températures variant entre 25°C et 250°C. Le test est réalisé avec une tension de bus de 500 V et un courant dans la charge résistive de 5A. Pour la commande, la tension de grille appliquée sur le MOSFET vaut -5V/20V.

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Cette etude en vue de l'augmentation de la tenue en tension des composants de puissance en carbure de silicium a porte a la fois sur la determination de certains parametres physiques du materiau (coefficients d'ionisation des electrons et des trous) et sur l'analyse du comportement sous polarisation inverse de diodes bipolaires. Les caracterisations electriques ont ete …

les principales propriétés du carbure de silicium. Dans le troisième chapitre, nous allons étudier expérimentalement le comportement électrique de la structure Schottky Ni/6H-SiC.

Généralités sur le carbure de silicium . Le carbure de silicium est un matériau de grand intérêt sur le plan industriel. Le carbone (C) et le silicium (Si) sont les éléments les plus légers possédant quatre électrons de valence, et donc aptes à former des composés stables (C, Si et SiC).

9èmes Assises MUGV2016 LMR –CEROC, Tours, 8-9 juin 2016 1 Etude de la formation des bavures en coupe orthogonale à l'outil carbure dans un alliage d'Aluminium – Silicium. Tristan REGNIER(a), Guillaume FROMENTIN(a), José OUTEIRO(a), Bertrand MARCON(a), Alain D'ACUNTO(b ), Arnaud CROLET(c (a) Laboratoire Bourguignon des Matériaux et Procédés – …

LAsie-Pacifique dominera le marché. LAsie-Pacifique devrait dominer le marché du carbure de silicium au cours de la période de prévision. Dans des pays comme la Chine, lInde et le Japon, en raison de la demande croissante de technologies avancées et améliorées dans divers secteurs, notamment lélectronique, lautomobile et la défense, la demande de carbure de silicium a …

en Carbure de Silicium (SiC) avec une tenue en tension de 1200 V. Ces composants sont disponibles soit sous forme de puces, soit sous forme de modules de puissance. Ces dix dernières années de nombreux travaux de recherche ont montré que le SiC est attrayant en termes de tenue en tension, de température et de vitesse de commutation.

Les applications potentielles du carbure de silicium (SiC) en microélectronique ont motivé de nombreuses études sur les défauts ponctuels, qui jouent un rôle important dans la compensation électrique. Ce matériau possède en outre de nombreux atouts pour participer au confinement des matières fissiles dans les réacteurs à caloporteur gazeux du futur (4ème génération). Dans …

Vieillissement et mécanismes de dégradation sur des composants de puissance en carbure de silicium (SIC) pour des applications haute température. Rémy Ouaida (1, 2) Afficher Read More+

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Pour notre véhicule de test, la défaillance se traduit par un emballement du courant de grille en régime statique et par l'apparition de fissures dans le poly-Silicium de la grille. Pour finir, une …

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En bref, les dispositifs de puissance en carbure de silicium offrent les caractéristiques de récupération inverse faible et de commutation rapide requises pour obtenir …

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CHAPITRE I: Le carbure de silicium pour la photovoltaïque Figure 1-1 : Représentation du principe fonctionnement de la cellule solaire. Figure 1-2 : Mécanismes de génération et …

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