L'invention vise à obtenir une grande vitesse de dépôt de silicium amorphe semi-conducteur sur le substrat, en même temps qu'un petit nombre de défauts dans le film déposé. On atteint ce but en choisissant, pour le rapport f/d entre la fréquence et la distance séparant les électrodes, une valeur optimale comprise entre 30 et 100 MHz ...

PANNEAU SOLAIRE EN SILICIUM AMORPHE - 40WCaractéristiques - convient pour usage par tous les temps, même lors d'une faible luminosité ou par temps couvert -…Voir la présentation 277 € 98 + d'offres à partir de 277,97€ Voir

Les panneaux sont composés de silicium amorphe posé sur du verre ou du plastique. Le panneau solaire amorphe n'est pas énergivore puisqu'il utilise uniquement 1% de silicium comparé aux besoins en silicium des …

L'invention concerne une pile solaire en silicium amorphe formée d'une électrode transparente, de silicium amorphe, d'une électrode arrière sur un substrat transparent, où des trous ou des tranchées sont formés à travers l'électrode arrière et la couche en silicium amorphe par attaque en phase humide. Selon l'invention, une couche de fixation en un film mince métallique (24) est …

Pour la fréquence optimale, la vitesse de dépôt est maximale et le nombre de défauts est minimal. Ce procédé est utilisable pour le dépôt de silicium amorphe hydrogéné ou de l'un de ses alliages à partir de différents gaz ou mélanges de gaz, ainsi que pour produire des couches dopées.

Un procédé de formation d'une pellicule de silicium amorphe provoque la photodécomposition d'un silane d'ordre élevé contenant deux ou plusieurs atomes de Si, par irradiation avec de la lumière d'une longueur d'onde ne dépassant pas 300 …

Figure 1.10 Procédé « Czochralski » pour l'élaboration du silicium monocristallin 16 Figure 1.11 16Méthode de la zone flottante pour l'élaboration du silicium monocristallin Figure 1.12 …

Page 2 Dans le deuxième chapitre, nous présentons des notions fondamentales sur les semi-conducteurs, la jonction et sur la cellule solaire ainsi son principe de fonctionnement.

Le silicium amorphe hydrogène et ses applications à l'imagerie C. Chaussat, J.C. Bruyère To cite this version: C. Chaussat, J.C. Bruyère. Le silicium amorphe hydrogène et ses applications à l'imagerie. Revue de Physique Appliquée, 1984, 19 (2), pp.51-58. ￿10.1051/rphysap:05100￿. ￿jpa-00245172￿

Ce chimiste fabriquait du silicium amorphe après avoir chauffé du potassium métallique avec du tétrafluorure de silicium. Pourtant, en 1811, cet élément chimique avait déjà été découvert sous une forme amorphe et impure. Selon l'histoire, ce travail aurait été réalisé par les Français Gay Lussac et Louis Jacques Thénard.

Procédé et installation de dépôt de silicium amorphe hydrogène sur un substrat dans une enceinte à plasma 0263788 - EP87810548B1 - EPO Application Sep 23, 1987 - Publication Aug 28, 1991

FR2792112B1 - Dispositif et procede de traitement de composants electroniques en couches minces de silicium amorphe, notamment de transistors pour ecrans plats a matrices actives a cristaux liquides - Google Patents

L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un film de carbure de silicium amorphe hydrogéné à pores traversants, qui comprend : a) la formation sur un substrat d'un film constitué d'une matrice de carbure de silicium hydrogéné amorphe dans laquelle sont dispersés des nanofils traversants d'oxyde de silicium ; puis b) la destruction sélective par un agent chimique …

L'invention concerne la fabrication de dioxyde de silicium amorphe de haute pureté. Ce procédé de production de silice amorphe de haute pureté et à énergie thermique élevée consiste à effectuer, les uns après les autres, un lavage des glumelles de riz à l'acide, un rinçage à l'eau, un séchage, une pyrolyse des glumelles de riz dans un environnement manquant d'air à une ...

Figure 1.9 Production du silicium métallurgique 14 Figure 1.10 Procédé « Czochralski » pour l'élaboration du silicium monocristallin 16 Figure 1.11 16Méthode de la zone flottante pour l'élaboration du silicium monocristallin Figure 1.12 Structure du silicium amorphe hydrogéné 17 Figure 1.13 Principe PECVD 18

La présente invention concerne un procédé de cristallisation de silicium amorphe, consistant à : préparer une couche de silicium amorphe sur un substrat à l'intérieur d'une chambre capable de générer un plasma ; et exposer la couche de silicium amorphe au plasma par la génération du plasma tout en appliquant une tension positive pulsée sur le substrat.

EP1710207A1 - Procédé de production de silicium amorphe - Google Patents Procédé de production de silicium amorphe Download PDF Info Publication number EP1710207A1. EP1710207A1 ...

La diminution du coût des cellules photovoltaïques en silicium cristallin (c-Si) passe par une augmentation de leur rendement de conversion alliée à la réduction en épaisseur des tranches …

La présente invention concerne le domaine de la production de cellules solaires au silicium amorphe, et concerne en particulier un procédé de gravure d'un film d'aluminium d'une cellule solaire au silicium amorphe. Le procédé consiste à ajouter du 2-aminoimidazole, de l'urée, un agent d'unisson aqueux et un agent antimousse à de l'eau déionisée, et à les agiter de …

Le procédé de fabrication des cellules photovoltaïques au silicium amorphe comporte plusieurs étapes distinctes. La préparation du support Le support peut prendre la forme d'un substrat rigide (en général du verre) ou semi-rigide (silicium métallurgique en ruban, …

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L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat TFT en silicium amorphe comprenant les étapes suivantes : tout d'abord, la formation d'une première couche de résine photosensible qui a des motifs de résine photosensible de trois épaisseurs au moyen d'un premier processus d'exposition, et l'utilisation de la première couche de résine photosensible …

Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'invention concerne un procédé de préparation d'un nitrure de silicium amorphe hydrogéné à faibles pertes qui est transparent dans une lumière visible, comprenant les étapes consistant à : fournir un substrat ; et déposer une couche diélectrique sur le substrat au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par ...

EP0236936A2 - Procédé pour éliminer les courts-circuits pendant la production de composants électriques, de préférence pour des cellules solaires au silicium amorphe - Google Patents

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L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température.

En raison de leur procédé de fabrication, ces cellules n'ont pas une couleur totalement homogène mais plutôt un bleu variable lié à la multitude de cristaux. Dans ce cas de figure, il faut laisser le silicium former une multitude …

L'invention propose de déposer du silicium amorphe à basse température par décomposition thermique du disilane qui est créé en amont du réacteur thermique au cours de la même opération, de préférence par une méthode physico- chimique telle que l'action de l'hydrogène atomique sur le monosilane.L'invention s'applique notamment aux dépôts de couches de …

Un procédé de fabrication de silice amorphe comporte les étapes consistant à : se procurer une matière résiduaire organique contenant de l'oxyde de silicium en tant que matière première de …

WO2019091506A1 PCT/DE2018/000320 DE2018000320W WO2019091506A1 WO 2019091506 A1 WO2019091506 A1 WO 2019091506A1 DE 2018000320 W DE2018000320 W DE 2018000320W WO 2019091506 A1 WO201

Le panneau solaire amorphe s'adapte sur les surfaces particulières ‍ Il est plus économique et écologique ‍ La fabrication d'un panneau amorphe est plus économique que celle des panneaux à base de cristal de silicium.. Elle consomme non seulement moins d'énergie, mais aussi une plus faible quantité de matériaux. Ça permet, d'une part, d'abaisser son coût de …

La présente invention concerne un composite silicium-carbone amorphe, un procédé de préparation d'un composite silicium-carbone amorphe à l'aide d'un procédé de pyrolyse, et une anode de batterie secondaire au lithium et une batterie secondaire au lithium, les deux le …

Le procédé de l'invention comprend au moins deux étapes, la deuxième étape pouvant être réalisée suivant plusieurs variantes. Pendant la première étape, commune à toutes les variantes, une couche mince de métal (102), par exemple du platine, est …

I.5.1.1. Description générale. La technique de dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (CVD) consiste en la formation d'un matériau solide par réaction, activée par une source d'énergie, d'espèces gazeuses réactives sur la surface d'un substrat.

électriques et optiques de la cellule solaire à base de silicium amorphe. Nous avons utilisé le logiciel de simulation TCAD_SILVACO pour simuler la caractéristique courant tension I(V)

silicium amorphe hydrogéné (pulvérisateur RF et PECVD). Dans le second chapitre nous avons présenté les propriétés optiques et électriques des couches silicium amorphe.

EP0093513A1 EP83301971A EP83301971A EP0093513A1 EP 0093513 A1 EP0093513 A1 EP 0093513A1 EP 83301971 A EP83301971 A EP 83301971A EP 83301971 A EP83301971 A EP 83301971A EP 0093513 A1 EP0093513 A1 EP 0093513A1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords layer solar cell type amorphous silicon photoactive Prior art date …